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當(dāng)前位置:首頁 / 產(chǎn)品中心 / 其他專用儀器 / 測(cè)定儀 / H11892變溫霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀
變溫霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀霍爾效應(yīng)的測(cè)量是開展半導(dǎo)體研究的重要方法。本機(jī)利用計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)采集和處理在80K-400K溫度范圍內(nèi)對(duì)霍爾系數(shù)和電導(dǎo)率的聯(lián)合測(cè)量,進(jìn)行半導(dǎo)體導(dǎo)電機(jī)制及散射機(jī)制的研究,并可確定半導(dǎo)體的一些基本參數(shù),如導(dǎo)電類型、載流子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質(zhì)電離能等。
產(chǎn)品分類
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,交通,汽車,電氣 | 電磁鐵 | 0-300mT連續(xù)可調(diào) |
變溫霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀 型號(hào):H11892
變溫霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀霍爾效應(yīng)的測(cè)量是開展半導(dǎo)體研究的重要方法。本機(jī)利用計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)采集和處理在80K-400K溫度范圍內(nèi)對(duì)霍爾系數(shù)和電導(dǎo)率的聯(lián)合測(cè)量,進(jìn)行半導(dǎo)體導(dǎo)電機(jī)制及散射機(jī)制的研究,并可確定半導(dǎo)體的一些基本參數(shù),如導(dǎo)電類型、載流子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質(zhì)電離能等。
主要技術(shù)指標(biāo)
1.電磁鐵 0-300mT連續(xù)可調(diào)
2. 勵(lì)磁電源 0-5A連續(xù)可調(diào) 可自動(dòng)換向 穩(wěn)定性﹤±0.1%
3. 數(shù)字特斯拉計(jì) 0-2000mT 三位半數(shù)字顯示 分辨率0.001
4. 恒流源輸出 1mA 穩(wěn)定性±0.1%
5. 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)霍爾電壓測(cè)量分辨率1uV
6. 溫度變化測(cè)量范圍 80-400K
7. 整套儀器由電磁鐵系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)機(jī)箱、測(cè)量系統(tǒng)主機(jī)、恒溫器四部分組成
8. 探頭樣品采用單晶鍺片
2. 納米微粒制備實(shí)驗(yàn)儀 型號(hào):H11891
一、基本原理
微粒制備的方法很多,按制備方法可分為物理方法和化學(xué)方法。按制備路經(jīng)分,可分為粉碎法和聚集法。
本實(shí)驗(yàn)儀采用電阻加熱,氣體冷凝法制備納米微粒。
二、儀器組成
如圖所示
納米微粒制備實(shí)驗(yàn)儀外型圖 儀器照片
實(shí)驗(yàn)儀器:
玻璃真空罩G置于儀器頂部真空橡皮圈的上方。平時(shí)真空罩內(nèi)保持一定程度的低氣壓,以維護(hù)系統(tǒng)的清潔。當(dāng)需要制備微粒時(shí),打開閥門V2讓空氣進(jìn)入真空室,使得真空室內(nèi)外氣壓相近即可掀開真空罩。真空罩下方真空室底盤P的上部倒置了一只玻璃燒杯F,用作納米微粒的收集器。兩個(gè)銅電極I之間可以接上隨機(jī)附帶的螺旋狀鎢絲H。銅電極接至蒸發(fā)速率控制單元,若在真空狀態(tài)下或低氣壓惰性氣體狀態(tài)下啟動(dòng)該單元,鎢絲上即通過電流并可獲得1000℃ 以上的高溫。真空底盤P開有四個(gè)孔,孔的下方分別接有氣體壓力傳感器E,以及連結(jié)閥門V1、V2和電磁閥Ve的管道。氣體壓力傳感器E連結(jié)至真空度測(cè)量單元,并在數(shù)字顯示表M1上直接顯示實(shí)驗(yàn)過程中真空室內(nèi)的氣體壓力。閥門V1通過一管道與儀器后側(cè)惰性氣體接口連結(jié),實(shí)驗(yàn)時(shí)可利用V1調(diào)整氣體壓力,亦可借助Ve調(diào)整壓力。閥門V2的另一端直通大氣,主要為打開鐘罩而設(shè)立。電磁閥Ve的另一端接至抽氣單元并由該單元實(shí)行抽氣的自動(dòng)控制,以保證抽氣的順利進(jìn)行并排除真空泵油倒灌進(jìn)入真空室。蒸發(fā)控制單元的加熱功率控制旋鈕置于儀器面板上。調(diào)節(jié)加熱器時(shí)數(shù)字顯示表M2直接顯示加熱功率。
三、主要技術(shù)指標(biāo)
真空度<0.01KPa
氣體壓力測(cè)量范圍0.01KPa ~120KPa 四位半數(shù)字顯示
加熱功率0 ~200W
功率測(cè)量 三位半數(shù)字顯示
電源 220V 50Hz
四、操作步驟
1.準(zhǔn)備工作
(1)檢查儀器系統(tǒng)的電源接線、惰性氣體連結(jié)管道是否正常。惰性氣體最好用高純Ar氣,亦可考慮使用化學(xué)性質(zhì)不活潑的高純N2氣。
(2)利用脫脂白綢布、分析純酒精、仔細(xì)擦凈真空罩以及罩內(nèi)的底盤、電極和燒杯。
(3)將螺旋狀鎢絲接至銅電極。
(4)從樣品盒中取出銅片(用于納米銅粉制備),在鎢絲的每一圈上掛一片,罩上燒杯。
(6)合上開關(guān)S2,此時(shí)抽氣單元開始工作,電磁閉Ve自動(dòng)接通,真空室內(nèi)壓力下降。下降至一定值時(shí)關(guān)閉S2,觀察真空度是否基本穩(wěn)定在該值附近,如果真空度持續(xù)變差,表明存在漏氣因素,檢查V1、V2是否關(guān)閉。正常情況下不應(yīng)漏氣。
(7)打開閥門V1,此時(shí)惰性氣進(jìn)入真空室,氣壓隨之變大。
(8)熟練上述抽氣與供氣的操作過程,直至可以按實(shí)驗(yàn)的要求調(diào)節(jié)氣體壓力。
(9)準(zhǔn)備好備用的干凈毛刷和收集納米微粉的容器。
2.制備銅納米微粒。
(1)關(guān)閉V1、V2閥門,對(duì)真空室抽氣至0.05kPa附近。
(2)利用氬氣(或氮?dú)猓_洗真空室。打開閥門V1使氬氣(或氮?dú)猓┻M(jìn)入真空室,邊抽氣邊進(jìn)氣(氬氣或氮?dú)猓┘s5分鐘。
(3)關(guān)閉閥V1,觀察真空度至0.13kPa附近時(shí)關(guān)閉S2,停止抽氣。此時(shí)真空度應(yīng)基本穩(wěn)定在0.13kPa附近。
(4)沿順時(shí)針方向緩慢旋轉(zhuǎn)加熱功率旋鈕,觀察加熱功率顯示器,同時(shí)關(guān)注鎢絲。隨著加熱功率的逐漸增大,鎢絲逐漸發(fā)紅進(jìn)而變亮。當(dāng)溫度達(dá)到銅片(或其它材料)的熔點(diǎn)時(shí)銅片熔化,并由于表面張力的原因,浸潤(rùn)至鎢絲上。
(7)在2×0.13kPa,5×0.13kPa,10×0.13kPa及30×0.13kPa處重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)步驟制備,并記錄每次蒸發(fā)時(shí)的加熱功率,觀察每次制備時(shí)蒸發(fā)情況有何差異。
3.小型制冷和制冷性能實(shí)驗(yàn)儀 型號(hào):H11890
由小型制冷試驗(yàn)機(jī)和制冷性能實(shí)驗(yàn)儀兩部分組成,可獲得溫度—時(shí)間響應(yīng)特性,制冷量—溫度特性,制冷系數(shù)和制冷效率并進(jìn)行熱過程分析。
4.固體數(shù)字熔點(diǎn)儀 數(shù)字熔點(diǎn)儀 型號(hào):H11887
用于觀察和測(cè)量固體材料的熔化特性,進(jìn)而分析判斷單質(zhì)材料的類型和分析判斷二組分體系熔解特性并獲取該組分體系的相圖。真空爐透明,目視熔化過程,無煙霧等有害氣體產(chǎn)生。恒流源、毫伏表均采用數(shù)字顯示。
功能:
H11887 -1型數(shù)字熔點(diǎn)儀是為大學(xué)物理實(shí)驗(yàn)和物化實(shí)驗(yàn)課程用于觀察和測(cè)量固體材料的熔解特性而設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)教學(xué)儀器。利用本儀器測(cè)量熔化了的固體樣品在均勻冷卻過程中的溫度——時(shí)間冷卻曲線(亦稱步冷曲線),可以分析和判斷單質(zhì)材料的類型(晶體、非晶體),測(cè)量晶體材料的熔點(diǎn),分析和判斷二組份體系熔解特性并獲取該組份體系的相圖。
儀器特點(diǎn):
1. 材料樣品爐真空透明,目視熔化過程,無煙霧等有害氣體產(chǎn)生;
2. 有完善的多級(jí)控溫裝置,安全可靠;
3. 樣品爐爐溫升、降過程直接采用數(shù)字溫度表顯示,直觀明了;
4. 計(jì)時(shí)器提示音有三檔可選。
技術(shù)參數(shù):
1、熔化爐加熱功率 :300W;
2、溫度范圍 : 0~500℃。
3、數(shù)字控溫溫度計(jì):測(cè)量范圍0~500℃, 控溫設(shè)定范圍 20~500℃。
4 計(jì)時(shí)器計(jì)時(shí)范圍 :1~99999秒,5位數(shù)顯,
5 提示音間隔 : 3秒、5 秒、10 秒、三檔可選
6、電源 AC 220V 50Hz 2A。
5.鐵電體電滯回線測(cè)量?jī)x 型號(hào):H11884
電滯回線測(cè)量是檢測(cè)鐵電體的一種主要手段。“TF_DH1鐵電體電滯回線測(cè)量?jī)x"針對(duì)教學(xué)需求而設(shè)計(jì)的,并且也可以應(yīng)用到科研領(lǐng)域。
主要特點(diǎn):內(nèi)含微處理器、程控放大器;設(shè)有安全保護(hù)裝置;高速數(shù)據(jù)接口;精制樣品盒和樣品臺(tái);軟件功能豐富。
以上參數(shù)資料與圖片相對(duì)應(yīng)
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